半導體器件老化測試是在一定溫度下長時間對元器件持續(xù)施加一定的電應力，通過電熱應力的綜合作用，加速元器件內(nèi)部的各種物理化學反應過程，促使元器件內(nèi)部隱藏的各種潛在缺陷盡早暴露出來。傳統(tǒng)元器件mos管采用硅材料，一般做簡單的靜態(tài)老化，對老化測試設備要求不高，DC高壓電源可以完成。目前，隨著高功率、高頻、對老化測試要求高的氮化鎵等新材料的興起，脈沖高壓電源可以廣泛應用于新材料MOS管的漏電流測試。新材料也是未來材料的發(fā)展趨勢。隨著新材料的發(fā)展，高壓脈沖電源在該領(lǐng)域的應用將越來越廣泛。電源參數(shù)和測試框圖如下：
郵編：710199
郵箱：leinengdz@163.com
傳真：029-88220358
地址：陜西省西安市長安區(qū)航天產(chǎn)業(yè)基地工業(yè)二路299號A1-2幢
公司公眾號
聯(lián)系微信
